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国产化5G芯片用氮化镓材料在芜试制成功
文章来源:未知     点击数: 次     更新时间:2019-02-21 15:17

据报道, 西安电子科技大学芜湖?#33455;?#38498;,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖?#33455;?#38498;试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

 

据介绍,氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导?#30465;?#20302;介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性?#30465;?#25104;为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件和电路的关键材料,特别适合于高频?#30465;?#22823;功?#30465;?#39640;温和抗辐照电子器件与电路的研制。

 

西安电子科技大学芜湖?#33455;?#38498;依托于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料,目前在国际第三代半导体技术领域处于领先水平,将助力5G通信制造领域的国产化进程。西电芜湖?#33455;?#38498;技术总监陈兴表示,?#33455;?#38498;目前已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力。下一步他们将尽快将这项技术商用,力争早日推向市场

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